ASPMedia24

14 Дек 2023

ФОРМУЛА ITO

Здесь мы описываем изготовление молекулярных соединений большой площади с конфигурацией ITO /[Ru(Phen)3] / Al, чтобы понять явления переноса заряда, зависящие от температуры и толщины. 

Благодаря электрохимическому методу тонкие слои электроактивного рутения (II)–tris (фенантролина) [Ru(Phen)3] толщиной 4-16 нм ковалентно выращиваются на нанесенных распылением узорчатых ITO-электродах. Молекулярные соединения, вызванные смещением, демонстрируют симметричные кривые ток-напряжение (j–V), демонстрируя высокоэффективный перенос заряда на большие расстояния и слабое затухание при увеличении толщины молекулярной пленки (β = 0,70 – 0,79 нм-1). Такое более низкое значение β объясняется доступностью каналов молекулярной проводимости Ru(Phen)3 к уровням Ферми обоих электродов и сильной электронной связью на границах раздела ITO–молекулы. Более тонкие соединения (d = 3,9 нм) следуют за переносом заряда посредством резонансного туннелирования, в то время как более толстые соединения (d = 10-16 нм) следуют за термической активацией (энергия активации, Ea ≈ 43 МэВ). Проводимость заряда по Пулу–Френкелю, демонстрирующая чёткую «молекулярную сигнатуру» в нанометрических переходах.

Источник и изображение

Прочитано 990 раз

Яндекс.Метрика Top.Mail.Ru